净化工程温湿度控制

        净化工程的温湿度主要根据工艺要求确定，但在满足工艺要求的情况下，应考虑人的舒shi性。随着空气清洁度要求的增加，工艺对温湿度的要求越来越严格。未来将列出具体工艺对温度的要求，但作为一般原则，由于加工精度越来越精细，对温度波动范围的要求也越来越小。

        例如，在大规模集成电路生产的光刻曝光过程中，玻璃和硅片作为掩膜板材料的热膨胀系数差异越来越小。

        硅片直径为100um，温度升高1度，导致0.24um线性膨胀。因此，应有±0.1度的恒温。同时，湿度值一般较低，因为人出汗后会污染产品，尤其是怕钠的半导体净化工程。这种车间的温度不能超过25度，湿度过高会造成更多的问题。当相对湿度高于55%时，冷却水管壁会结露。如果发生在精mi装置或电路中，会造成各种事故。当相对湿度为50%时，很容易生锈。

        此外，当湿度过高时，附着在硅片表面的灰尘会被空气中的水分子化学吸附，难以去除。相对湿度越高，附着力越难去除。但当相对湿度低于30%时，由于静电的作用，颗粒容易吸附在表面，大量半导体器件容易穿透。硅片生产的良好湿度范围为35-45%。

        在净化工程的基础设施建设中，要充分利用上述方法，从设计到施工，注重效率和产品质量，在髙效的前提下进行高质量的工程建设。

如何做好清洁卫生及保养管理

净化车间有哪些正规要求？